Siltronic verstärkt seine GaN-Wafer-Aktivitäten
Da die GaN-on-Si-Wafer von Siltronic in Pilotlinien von Kunden eine sehr gute Leistung zeigen, hat das Unternehmen beschlossen, in einen weiteren Epitaxiereaktor zu investieren. Durch die Bereitstellung von GaN-on-Si-Wafern aus dem neuen Reaktor unterstützt Siltronic auch eine energieeffiziente, nachhaltige und mobile Zukunft.
Wachsende neue Anwendungen wie Rechenzentren, erneuerbare Energien und die nächste Generation von drahtlosen Netzwerken (5G) erfordern hohe Schaltfrequenzen und ein effizientes Energiemanagement, während gleichzeitig mit hohen Leistungsdichten gearbeitet werden muss. Die GaN-Technologie erfüllt alle drei Anforderungen. Auf diese Weise unterstützt die GaN-Technologie nicht nur zukünftige Wachstumsmärkte, sondern trägt parallel zur Dekarbonisierung der Digitalisierung, der Energieverteilung und der Mobilität bei. Es wird daher erwartet, dass GaN-on-Si-Wafer zunehmend als Material der Wahl für solche Anwendungen eingesetzt werden.
Siltronic hat seine GaN-on-Si-Aktivitäten bereits 2011 mit dem Beitritt zum entsprechenden Imec Industry Affiliation Program (IIAP) gestartet. Es wurde eine umfassende und leistungsstarke GaN-on-Si-Technologieplattform entwickelt, die sowohl GaN-Wafer für effiziente Leistungselektronik als auch GaN-on-Si-Wafer für hochfrequenzzentrierte Lösungen wie 5G auf der Basis von 6" und 8" Waferdurchmesser umfasst.
Auch auf EU-Ebene investiert Siltronic in die Forschung zu dieser Zukunftstechnologie. Gemeinsam mit 25 weiteren Partnern treibt das Unternehmen im Rahmen des europäischen Forschungsprojekts "Ultimate GaN" die GaN-Technologien näher an die Grenzen ihrer physikalischen Eigenschaften und stärkt damit Europas Kompetenz bei Leistungshalbleitern und nachhaltigem Energiemanagement.
